世界初、CMOS集積スピントロニクスp-bitの論文がIEEE Elect. Dev. Lett.誌に掲載されました
ユン・ジュヨン博士研究員（当時）、ヌノ・カソイロ特任助教らの論文 “130-nm CMOS-integrated superparamagnetic tunnel junction-based p-bit” のEarly Access版がIEEE Electron Device Letters誌のウェブサイトで公開されました。
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